PBSS5350X,115 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
PBSS5350X,115
|
|
حجم فایل
|
51.873
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
13
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
Nexperia PBSS5350X,135
-
Transistor Type:
PNP
-
Operating Temperature:
+150°C@(Tj)
-
Collector Current (Ic):
3A
-
Power Dissipation (Pd):
1.4W
-
Transition Frequency (fT):
100MHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
200@1A,2V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
100nA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
50V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
390mV@3A,300mA
-
Package:
SOT-89
-
Manufacturer:
Nexperia
